本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自TrendForce
第三代半导体上市新动态。
近年来，在消费电子需求以及新能源汽车、数据中心、光伏、风电、工业控制等行业兴起的推动下，以SiC、GaN等材料为重点的第三代半导体公司快速发展。
根据全球市场研究机构 TrendForce 的数据，2023 年全球 GaN 功率器件市场规模达到 2.71 亿美元，预计到 2030 年将增长至 43.76 亿美元，复合年增长率为 49%。与此同时，SiC 在汽车和可再生能源等需要高功率密度和效率的应用中继续加速采用。预计到 2028 年全球 SiC 功率器件市场规模将达到 91.7 亿美元。
巨大的市场机遇和国家政策的支持，使中国半导体企业步入了快速增长期，并开始在国际舞台上崭露头角。
近期，上实国际、英诺赛科、天域半导体等纷纷向港交所申请上市，彰显了其加速全球化布局、提升技术研发和生产能力、进一步国际化发展的决心，同时拓宽融资渠道、提升市场竞争力。
天域半导体：递交申请书
2024年12月23日，广东天域半导体股份有限公司(简称“天域半导体”)向香港联合交易所有限公司提交了上市申请书，中信证券为其独家保荐人。这不是天域半导体首次尝试进入资本市场，在2023年6月时曾向深圳证券交易所提交过上市申请，但最终决定终止辅导协议，并转向香港市场寻求更大的发展机遇。
天域半导体成立于 2009 年，总部位于广东东莞松山湖，是中国首批技术领先的第三代半导体公司之一，主要专注于研发、量产及销售自主研发的碳化硅外延片。它是中国首批实现 4 英寸及 6 英寸碳化硅外延片量产的公司之一，也是首批拥有量产 8 英寸碳化硅外延片能力的公司之一。
在过去几年里，天域半导体获得了包括华为哈勃科技、比亚迪在内的多家知名企业和投资机构的支持，累计融资超过14亿元人民币。2023 年，天域半导体在中国碳化硅外延片市场的市场份额达 38.8%（以收入计）及 38.6%（以销量计），使该公司成为中国碳化硅外延片行业排名首位的公司；在全球，其以收入及销量计的外延片市场份额均约为 15%，位列全球前三。
英诺赛科在港交所上市
2024年12月30日，氮化镓（GaN）功率半导体制造商英诺赛克正式在港交所主板上市。
英诺赛科本次全球发行4536.4万股H股，发行价为每股30.86港元，募集资金约14亿港元，募集资金净额13.02亿港元。根据计划，本次募集资金主要用于扩大8英寸GaN晶圆产能、加强研发和产品组合、以及拓展全球GaN产品分销网络。
英诺赛科公告最终发行价格及配售结果显示，意法半导体、江苏国企混合所有制改革基金、东方创新资本、苏州高端装备基金等四家基石投资者参与本次发行，共计认购1亿美元。
英诺赛科在珠海建成了中国第一条完整的8英寸硅基GaN晶圆及功率器件量产线，其苏州工厂于2021年10月投入运营，是全球最大的8英寸硅基GaN晶圆制造基地。
公司披露，2023年，英诺科思在GaN功率半导体公司中市场份额位居全球第一，按GaN分立器件出货量计算，市场份额为42.4%。截至2024年第三季度，英诺科思GaN累计出货量突破10亿颗。
天岳先进瞄准A+H 股双重上市
2024年12月27日，碳化硅（SiC）衬底制造商天岳先进宣布拟在境外发行股票（H股）并在港交所上市，以加速国际化战略和海外业务布局。
天岳先进是国内碳化硅衬底领域的领军企业，2022 年 1 月正式登陆 A 股科创板。其半绝缘型碳化硅衬底市占率曾连续 4 年位居全球前三，2023 年公司的导电型碳化硅衬底材料市占率已经位列全球前三，2023 年在全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行中更是超过美国 Coherent（原名 II-VI），跃居全球第二。
天岳先进旨在增强其境外融资能力，增强其资本实力，提高整体竞争力。该公司目前在山东济南和济宁拥有生产基地，其上海临港智能工厂是导电SiC基板的主要生产基地。
公司目前已实现8英寸导电基板、6英寸导电基板、6英寸半绝缘基板、4英寸半绝缘基板的量产，导电SiC基板产品已为英飞凌、博世等国际行业领先企业应用于电力电子、汽车电子等领域。
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