浙江晶越半导体取得快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉专利
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金融界2025年2月21日消息,国家知识产权局信息显示,浙江晶越半导体有限公司取得一项名为“一种快速生长高质量8英寸碳化硅的生长炉”的专利,授权公告号 CN 118547371 B,申请日期为 2024年7月。
天眼查资料显示,浙江晶越半导体有限公司,成立于2020年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币,实缴资本20252万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次,知识产权方面有商标信息47条,专利信息35条,此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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