金融界2025年3月20日消息，国家知识产权局信息显示，广东国光电子有限公司申请一项名为“一种纳米多孔硅碳负极材料及其制备方法与应用”的专利，公开号 CN 119637880 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种纳米多孔硅碳负极材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：二氧化碳气氛中烧结纳米级硅化镁，烧结产物经过酸洗，得到纳米多孔硅碳负极材料；所述烧结的温度≤550℃。本发明提供的制备方法通过纳米级硅化镁的使用，能够在烧结温度不超过550℃的条件下，得到粒径为150nm以下的纳米多孔硅碳负极材料，降低了制备成本以及工艺控制的难度。

天眼查资料显示，广东国光电子有限公司，成立于2002年，位于广州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币，实缴资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东国光电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可10个。

本文源自：金融界

作者：情报员