金融界2025年3月20日消息，国家知识产权局信息显示，江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体的生长工艺及应用”的专利，公开号CN 119640393 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅晶体的生长工艺，包括以下步骤：A)采用石墨隔板将坩埚内部分隔为依次相邻的F区、D区、B区、A区、C区、E区和G区7个装料区域，在每个装料区域内装填碳化硅粉料，所述石墨隔板与坩埚的底面垂直放置；所述碳化硅粉料的粒径为10～80目；B)在装填好碳化硅粉料的坩埚顶部固定籽晶，采用PVT法进行碳化硅晶体的生长。本发明通过优化装料工艺，可提升粉料在生长过程中升华气体的均匀性和利用率，有助于炉内温场的稳定，降低晶体相变发生的概率，减少晶体缺陷(相变、多晶和位错等)，从而提升晶体质量。

天眼查资料显示，江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本35000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目86次，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可27个。

本文源自：金融界

作者：情报员