金融界2025年3月25日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置”的专利，公开号 CN 119667427 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置，属于半导体技术领域。该测量方法包括：获取单位面积参考电容和HEMT的第一实测栅源电容，单位面积参考电容为单位面积的叠层结构的电容，叠层结构的膜层堆叠结构与HEMT的膜层堆叠结构相同；根据单位面积参考电容和第一实测栅源电容，确定HEMT的等效栅源电容面积；根据第一实测栅源电容和等效栅源电容面积，确定HEMT的单位面积校准电容根据单位面积校准电容和HEMT的沟道深度确定HEMT的背景载流子浓度。本公开实施例能有效提高测量得到的HEMT的背景载流子浓度的准确性。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目39次，专利信息934条，此外企业还拥有行政许可36个。

本文源自：金融界

作者：情报员