ASM IP 申请形成金属硫化物层的专利,能在衬底上沉积包含无氧金属硫化物的阈值电压偏移层
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金融界 2025 年 4 月 1 日消息,国家知识产权局信息显示,ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“用于形成金属硫化物层的方法、系统和设备”的专利,公开号 CN 119736605 A,申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示,公开了一种用于在衬底上沉积包含无氧金属硫化物的阈值电压偏移层的方法、系统和设备,其中沉积还包括:在反应室内提供具有表面的衬底,a)向反应室提供包含金属的无氧前体以接触表面,b)向反应室提供无氧含硫反应物以接触表面,c)吹扫反应室并重复操作 a)、b)或 c)或者其任意组合,直到预定厚度的阈值电压偏移层沉积在表面上。
本文源自:金融界
作者:情报员
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