金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包含接触结构的半导体元件的制备方法”的专利，公开号 CN 119764253 A，申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；形成一介电层在该基底上；沿着该介电层形成一单元接触点开口以暴露该基底；共形地形成部分填充该单元接触点开口的一牺牲层，以形成暴露该基底的一中间开口；形成完全填满该中间开口的一阻挡层；移除该牺牲层；以该阻挡层当作一遮罩而执行一蚀刻工艺，以将该单元接触点开口加深至该基底中，并将该单元接触点开口转变为围绕该基底的一突出部的一延伸单元接触点开口；移除该阻挡层；以及形成一接触结构在该延伸单元接触点开口中。

本文源自：金融界

作者：情报员