金融界 2025 年 4 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，普瑞光电（厦门）股份有限公司申请一项名为“一种 GaN 基发光二极管外延片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119767886 A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种 GaN 基发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体电子器件技术领域，制备方法包括在衬底上依次生长低温缓冲层、U 型 GaN 层、N 型 GaN 层，在 N 型 GaN 层上生长应力调节层，应力调节层包括单个或多个结构层，每个结构层包括层叠第一 InGaN 子层和垒子层，在第一 InGaN 子层生长期间脉冲式通入 H2，在应力调节层上生长多量子阱层，应力调节层的 In 浓度低于多量子阱层的 In 浓度，在多量子阱层上依次生长电子阻挡层、低温 P 型 GaN 层、空穴分散层、P 型 GaN 层、P 型 GaN 层接触层。本技术方案通过优化应力调节层的设计和生长工艺显著缓解界面应力，减少缺陷生成，提升多量子阱层的晶体质量和载流子复合效率，有效提高 GaN 基发光二极管的发光效率和可靠性。

天眼查资料显示，普瑞光电（厦门）股份有限公司，成立于2011年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币，实缴资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，普瑞光电（厦门）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自：金融界

作者：情报员