金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片”的专利，公开号CN 119786431 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。浅槽隔离形成方法包括：提供一衬底，并在衬底的上表面依次形成缓冲层和具有刻蚀窗口的停止层；通过刻蚀窗口对缓冲层进行第一刻蚀处理，以在缓冲层形成缓冲沟槽；其中，缓冲沟槽的槽壁为内凹的弧状构型；对缓冲沟槽的槽底进行第二刻蚀处理，以在缓冲沟槽底部的衬底形成初始隔离沟槽；初始隔离沟槽与缓冲沟槽相接的槽口为圆滑的倒角构型；对初始隔离沟槽的槽底进行第三刻蚀处理，以加深初始隔离沟槽的深度，形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成浅槽隔离。通过本发明，能在浅槽隔离的开口形成圆滑的倒角，提升半导体结构的性能稳定性，提高半导体的可靠性。

天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币，实缴资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3561次，财产线索方面有商标信息126条，专利信息2809条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员