金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号 CN 119789440 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底；在衬底上形成多个器件结构，相邻器件结构之间具有沟槽；在沟槽内形成间隔层，间隔层的表面低于器件结构远离衬底一侧的顶部表面；在间隔层表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层表面形成第二绝缘层，第二绝缘层的致密度大于第一绝缘层的致密度；至少对第二绝缘层进行平坦化处理，直至暴露出器件结构的表面。通过在沟槽内形成致密度低的第一绝缘层，在第一绝缘层上形成了致密度高的第二绝缘层，因此可以改善平坦化工艺造成缺陷。同时由于绝缘层的膜层质与生长温度强相关，与间隔层接触的第一绝缘层的致密度较低，因此第一绝缘层的生长工艺对温度要求低，从而减少对间隔层的影响。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币，实缴资本1257.59万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息96条。

本文源自：金融界

作者：情报员