金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于制备碳化硅单晶的坩埚结构及碳化硅单晶的生长方法”的专利，公开号CN119913605A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于制备碳化硅单晶的坩埚结构，包括：坩埚主体；所述坩埚主体包括原料腔与生长腔；所述原料腔与生长腔通过石墨过滤件分开；所述石墨过滤件设置有贯穿的、上窄下宽的锥形孔洞；所述原料腔与生长腔通过锥形孔洞相连通。与现有技术相比，本发明提供的坩埚结构中的石墨过滤结构可有效阻挡来自生长初期石墨被侵蚀产生的石墨颗粒和后期原料中的碳颗粒，在保证气流能够顺利通过的情况下，有效地提高了晶体生长全阶段的包裹质量；并且本发明通过石墨过滤件在气体传输区域对气流进行过滤，可在不减少装料量、不影响温场的情况下，有效减少晶体生长过程中产生的包裹，提高晶体生长质量。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目265次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息173条，此外企业还拥有行政许可148个。

本文源自：金融界

作者：情报员