金融界2025年5月8日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种仅边缘处存在小面的SiC晶体及其晶片和半导体器件”的专利，公开号CN119932716A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种仅边缘处存在小面的SiC晶体及其晶片和半导体器件，涉及碳化硅Wafer技术领域。SiC晶体采用PVT法直接生长得到且未经后续加工，所述SiC晶体含有小面区域和非小面区域；小面区域位于SiC晶体的外圆周端面，所述小面区域全面积范围内的性质满足以下a～b中的任意一项或两项：a、小面区域的掺杂浓度变化率是非小面区域掺杂浓度变化率的1.5倍以上；b、小面区域的载流子浓度变化率是非小面区域载流子浓度变化率的5倍以上。降低了碳化硅晶体的生产成本，同时保证得到缺陷少且高均匀性的碳化硅晶体。

天眼查资料显示，山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本42971.1044万人民币。通过天眼查大数据分析，山东天岳先进科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息612条，此外企业还拥有行政许可55个。

本文源自：金融界

作者：情报员