金融界2025年5月8日消息，国家知识产权局信息显示，恩特格里斯公司申请一项名为“含有氟化烷氧化物和酰胺的前体”的专利，公开号CN119948037A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本公开涉及前体，更具体来说含有至少一个氟化基团的前体的领域。在一些实施例中，所述前体为含有氟化烷氧化物和酰胺的铪、锆和钛双(环戊二烯基)前体。在一些实施例中，本公开涉及使用前体来沉积含有第4族的薄膜，例如HfOx、ZrOx和TiOx膜应用。这些薄膜可用于包含半导体装置结构的各种应用中。已研发和合成本公开化合物以生成改良膜应用，例如HfOx、ZrOx和TiOx膜应用的化合物。本公开化合物的所述改良包含递送温度和沉积温度下增加的分子稳定性、与前体膜杂质水平、分子挥发性、分子熔点和步骤覆盖率相关的改良。

本文源自：金融界

作者：情报员