上海集成电路制造创新中心取得沉积金属扩散阻挡层的方法及设备专利
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金融界2025年5月9日消息,国家知识产权局信息显示,上海集成电路制造创新中心有限公司取得一项名为“沉积金属扩散阻挡层的方法及设备”的专利,授权公告号CN115084015B,申请日期为2022年7月。
天眼查资料显示,上海集成电路制造创新中心有限公司,成立于2018年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目162次,专利信息221条,此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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