微波高频集成电路芯片是半导体产业的一个重要分支，是通信、仪器仪表等多领域的核心支撑产品。
据思涵产业研究院《2024-2029年国内射频前端行业产业链格局及发展策略研究报告》显示，随着国内企业产品开发速度加快以及新技术和产业政策的双轮驱动，预计到2030年中国射频设备市场将增长至2000亿元，年复合增长率约为10%。但我国本土射频前端厂商以金额计的市占率不足15%，尤其在5G高集成度模组为代表的高端市场，以金额计的市占率不足5%，在关键技术领域仍有很大的国产化空间。
成立于2017年8月的成都仕芯半导体有限公司(Chengdu SiCore Semiconductor Co.,Ltd.)正在为实现国产高端射频微波芯片自主可控和在短时间内发展成为射频/微波器件及系统领域的国际一流企业而砥砺奋进。
自主创新 硕果累累
成都仕芯半导体专业从事高性能射频微波集成电路芯片、组件和系统解决方案的设计、开发，拥有2500㎡的科研生产基地，包括1000余㎡的生产测试车间，搭载多套完整芯片测试设备，年产能达到数百万颗。
成都仕芯半导体联合电子科技大学等多所知名大学的专家教授、博士生导师、高级工程师和科研骨干，为产品的设计、研发提供了有力的技术保障及人才储备。 现已成功研发20余个大类、200余个小类的射频、微波芯片产品。公司已申请50余项中外发明专利，拥有完全自主知识产权。
成都仕芯半导体先后通过了成都市集成电路设计企业、国家高新技术企业、四川省瞪羚企业、四川省新经济示范企业、国家级专精特新“小巨人”企业等认定。 公司技术中心被认定为“成都市企业技术中心”，公司压控振荡器芯片入围第十六届“中国芯”芯火新锐产品奖。
公司拥有世界一流的专业技术和市场团队， 核心创始团队拥有二十余年的顶尖微波、毫米波半导体公司跨国市场运营经验， 可为雷达、通信、导航、测试与测量等应用领域的客户提供高性价比的标准化产品及定制化系统解决方案。
2024年，成都仕芯半导体有限公司成功入选2024年国家级专精特新重点“小巨人”企业榜单，标志着公司在高端射频芯片领域的创新能力、市场占有率、掌握关键核心技术、质量效益等方面具有显著优势。
砥砺奋进 未来可期
仕芯半导体既是国内少有的具备集成频率合成、射频收发、射频前端系统级SOC研发能力的企业，又是国内少有的自建高频射频芯片批量生产测试线的企业。公司的核心产品压控振荡器芯片、模拟移相器芯片、分频器芯片等已经在通信、雷达等行业头部客户中得到广泛应用，多项技术和产品填补国内相关领域空白，实现了通信关键芯片的自主可控。在国内市场的占有率名列前茅，产品性能更是得到客户的广泛好评。
仕芯半导体在射频/微波集成电路芯片领域具备较高的技术壁垒，客户覆盖了国内市场份额前四的5G测试设备厂商，在核心元器件“国产化替代”趋势下，公司未来可期。
成都仕芯半导体有限公司将参加6月11日在成都举办的2025年全国射频微波技术与产业发展应用大会。
部分产品介绍
01
集成VCO宽带频率合成器
SIPL351BSP6是一款高性能宽带频率合成器，可以产生78 MHz至20 GHz范围内的任何频率。产品归一化噪底典型值：-235dBc/Hz(整数模式)，-230dBc/Hz(小数模式)。最高鉴相频率：200MHz（整数模式）。高速N分频器没有预分频器，大大提高了杂散抑制比，同时减少了不必要的杂散的数量。
SIPL351BSP6的同族型号还包括：SIPL351ASP6，该型号有独立的PFDIN端口，支持外接VCO，支持混频环应用，实现最优相位噪声指标。
SIPL351XSP6系列频率合成器芯片采用+3.3V供电，封装采用QFN-40L，外形尺寸：6*6mm。
02
超宽带高性能单双（四）开关
SIS119SL3是一款基于硅基工艺的高性能超宽带吸收式单刀双掷开关，支持工作频率9kHz至44GHz，插入损耗优于3.3 dB，隔离度优于43 dB。开关提供双路全关断模式，端口阻抗已匹配到50Ω。工作电压±3.3V双电源供电。SIS119SL3采用标准QFN-20L封装，外形尺寸：3*3mm。引脚兼容高线性同族型号：SIS376SL3在100kHz输入P1dB可满足24dBm。
SIS375SL3是一款基于硅基工艺的高性能超宽带吸收式单刀四掷开关，支持工作频率9kHz至44GHz，插入损耗优于4.5 dB，隔离度优于33 dB。信号端口阻抗已匹配到50Ω。工作电压±3.3V双电源供电。SIS375SL3采用标准QFN-20L封装，外形尺寸：3*3mm。引脚兼容高线性同族型号：SIS313SL3在300kHz输入P1dB可满足24dBm。
成都仕芯半导体有限公司
地址.：成都高新区百川路9号1号楼4层
网址：sicoresemi.com
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