金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，无锡缶英微电子科技有限公司申请一项名为“一种硅电容器”的专利，公开号CN120015732A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明涉及硅电容器技术领域，广泛应用于各类射频、光通信产品的应用场景。主要技术为一种硅电容器包括：硅通孔衬底、介电层、第二电极层、绝缘层、第一电极层、通孔引线和上下焊盘。硅通孔衬底的通孔为圆柱形，棱柱形或哑铃型，圆柱和棱柱形侧壁垂直，哑铃型侧壁倾斜，通过硅的两面各向异性腐蚀形成的倒四棱台，通孔阵列排布形成重复结构，单个通孔的开口直径为2μm～20μm。本发明采用硅通孔技术，两面开口，克服现有技术中U形深槽刻蚀均匀性差，孔的深度不能保证一致，以及U形深槽一面开口，造成电容器制备过程应力大而碎片的问题。

天眼查资料显示，无锡缶英微电子科技有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡缶英微电子科技有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自：金融界

作者：情报员