金融界2025年6月10日消息,国家知识产权局信息显示,新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元”的专利,授权公告号CN114256254B,申请日期为2021年09月。

本文源自:金融界

作者:情报员