金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“调控半导体器件性能的结构和方法”的专利，公开号CN120166686A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明公开了一种调控半导体器件性能的结构，包括：平行排列的第一和第二有源区，分别用于形成NMOS管和PMOS管。跨过第一和第二有源区的第一金属栅条形。第一金属栅条形具有PN金属栅界面，PN金属栅界面将第一金属栅条形分成N型金属栅结构和P型金属栅结构，PN金属栅界面的位置作为半导体器件性能的调控结构，PN金属栅界面的位置根据半导体器件性能的需要进行设置且通过版图定义，PN金属栅界面距离第一有源区越近以及距离第二有源区越远，NMOS管的阈值电压越大以及PMOS管的阈值电压越小，反之亦然。本发明还公开了一种调控半导体器件性能的方法。本发明能在不改变工艺流程的基础上调控半导体器件性能，特别适用于调节SRAM的性能如读写性能且简单易行。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2075次，专利信息2321条，此外企业还拥有行政许可343个。

本文源自：金融界

作者：情报员