金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，株式会社东芝、东芝高新材料公司申请一项名为“氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板”的专利，公开号CN120188275A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明提供能够减少接合不良的氮化硅基板和使用其的氮化硅电路基板。在观察实施方式的氮化硅基板的至少一个面中的6mm×6mm的部分的凹凸的情况下，最大凸部的高度与最大凹部的深度之差即最大凹凸高度为50μm以下。所述部分包括相对于所述最大凹凸高度的高度比为0.8以上且1.0以下的第一区域、所述高度比为0.5以上且小于0.8的第二区域、所述高度比为0.3以上且小于0.5的第三区域、以及所述高度比为0以上且小于0.3的第四区域。所述第一区域的面积相对于所述第一区域至所述第四区域的合计面积之比为1％以上且10％以下，所述第二区域的面积相对于所述合计面积之比为10％以上且50％以下，所述第三区域的面积相对于所述合计面积之比为20％以上且50％以下，所述第四区域的面积相对于所述合计面积之比为10％以上且60％以下。

本文源自：金融界

作者：情报员