2027年台积电终止GaN芯片生产！

在合作伙伴台积电计划于2027年终止氮化镓代工业务以后，Navitas Semiconductor（纳微半导体）今天宣布，将与力晶半导体制造股份有限公司 (PSMC 或 Powerchip) 建立战略合作伙伴关系，开始生产并继续开发一流的 200 毫米硅基氮化镓技术。

纳微的GaN IC产品组合预计将使用力晶位于台湾竹南科学园区的8B晶圆厂的200毫米晶圆。该晶圆厂自2019年投入运营，支持从Micro-LED到射频GaN器件等各种GaN大批量生产工艺。

Powerchip 的技术能力包括改进的 180nm CMOS 工艺，提供更小、更先进的几何尺寸，从而提升性能、功率效率、集成度和成本。Navitas 宽带隙技术平台高级副总裁 Sid Sundaresan 博士表示：“在 180nm 工艺节点上进行 200mm 硅基氮化镓生产，使我们能够继续创新，开发更高功率密度、更快速度和更高效的器件，同时降低成本、扩大规模并提高产量。”

力晶预计将生产纳微（Navitas）额定电压为 100V 至 650V 的 GaN 产品组合，以满足 48V 基础设施（包括超大规模 AI 数据中心和电动汽车）对 GaN 日益增长的需求。首批器件预计将于 2025 年第四季度完成认证。100V 系列预计将于 2026 年上半年在力晶率先投产，而 650V 器件预计将在未来 12-24 个月内从纳微的现有供应商台积电（TSMC）过渡到力晶。

Navitas 最近在人工智能数据中心、电动汽车和太阳能市场发布了多项公告，包括与 NVIDIA 合作，为 1 MW 及以上 IT 机架的 800V 高压直流输电架构 提供 GaN 和 SiC 技术支持。Enphase宣布其下一代 IQ9 将采用 Navitas 的650 V 双向 GaNFast IC，长安汽车则宣布推出其首款采用 Navitas GaNSafe技术的商用 GaN 基 OBC（车载充电器）。

纳微首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan表示：“我们很荣幸能与力晶科技合作，共同推进 200 毫米硅基氮化镓 (GaN-on-silicon) 的量产，并期待在未来共同推动持续创新。通过与力晶科技的合作，我们已做好准备，在产品性能、技术革新和成本效率方面持续推进。”

力晶科技总经理Martin Chu表示：“力晶科技与纳微科技在硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术方面合作多年，我们非常高兴地宣布产品认证已接近完成，即将进入量产阶段。基于这一稳固的合作伙伴关系，力晶科技致力于拓展合作，并持续支持纳微科技探索和发展氮化镓市场。”

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