金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，贰陆特拉华股份有限公司申请一项名为“形成晶片如碳化硅晶片的方法”的专利，公开号CN120319660A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，公开了形成晶片如碳化硅晶片的方法。这种方法可以包括提供晶体基板，晶体基板包括基板第一表面和与基板第一表面相对的基板第二表面。该方法还可以包括在距基板第一表面的第一深度处产生分离层以及在距基板第二表面的第二深度处产生缓解层。产生分离层可以使晶体基板弯曲，并且产生缓解层可以减小晶体基板的弯曲。该方法可以进一步包括沿着分离层从晶体基板分离晶片。

本文源自：金融界

作者：情报员