金融界 2025 年 7 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件及电子装置”的专利，公开号 CN120321971A，申请日期为 2024 年 01 月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体器件的形成方法、半导体器件及电子装置，该方法通过提供半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底、形成在该半导体衬底上的包含锗材料的半导体鳍以及形成在该半导体鳍上的伪栅极结构，进而在该半导体鳍上形成源/漏极区，之后去除伪栅极结构暴露被其覆盖的鳍部区域，并接着在形成替换栅极结构之前在该鳍部区域的外表面形成高浓度的锗富集层，之后再在该鳍部区域形成横跨半导体鳍的栅极结构，由于该半导体鳍的沟道区即被伪栅极结构覆盖的鳍部区域的表面形成有高浓度的锗富集层，从而大大增强了载流子(空穴)迁移率，提升了半导体器件的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

本文源自：金融界

作者：情报员