金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括倾斜字线接触条的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120345356A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种存储器设备包括：交替堆叠，该交替堆叠包括绝缘层和导电层以及渐缩侧壁，该渐缩侧壁沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向倾斜；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构延伸穿过该交替堆叠内的每个层并且包括存储器元件和竖直半导体沟道；该交替堆叠中的腔，该腔由该渐缩侧壁横向界定，并且具有包括该导电层中的至少一些导电层的台阶式表面的底表面；绝缘衬层，该绝缘衬层在该腔中位于该渐缩侧壁之上；以及导电条，该导电条邻接于该腔的该底表面处的该台阶式表面中的相应一个台阶式表面、在该腔中延伸于该绝缘衬层和该渐缩侧壁之上，并且包括位于该交替堆叠的最顶部表面上方的相应最顶部部分。

本文源自：金融界

作者：情报员