金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利,公开号CN120419306A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明的SiC半导体装置包括:SiC层,其包括主面;沟槽结构,其形成于所述主面,且在俯视时沿第一延伸方向延伸;以及平面电极型的栅极结构,其配置在所述主面上,且在俯视时沿所述第一延伸方向以外的第二延伸方向延伸。

本文源自:金融界

作者:情报员