国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121011510 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底结构；基底结构包括沿第一方向并列排布的第一区域和第二区域；第一方向垂直于基底结构的厚度方向；在第一区域上形成第一铝垫结构，并在第二区域上形成第二铝垫结构；第一铝垫结构包括第一阻挡层、第一铝垫层、第二阻挡层以及第二铝垫层；第二铝垫结构包括第二阻挡层以及位于第二阻挡层上的第二铝垫层；在暴露出的基底结构上、第一铝垫结构以及第二铝垫结构上形成保形覆盖第一铝垫结构和第二铝垫结构的钝化保护层；去除第一铝垫结构上的钝化保护层，以暴露出第一铝垫结构的全部上表面；在第一铝垫结构的第二铝垫层上扎针测试后，去除第一铝垫结构的第二阻挡层的顶面的第二铝垫层。

天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3785.7171万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可28个。

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作者：情报员