国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“具有包括超晶格的偏移源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法”的专利，公开号CN121014278A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，一种半导体装置可以包括衬底和衬底上的间隔开的栅极堆叠，所述栅极堆叠在其间限定相应的沟槽。每个栅极堆叠可以包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，其中第二半导体材料的层限定纳米结构。该半导体装置还可以包括沟槽内的相应的源极/漏极区、与第一半导体材料的层的横向端部相邻的相应的绝缘区、以及与纳米结构的横向端部相邻且从绝缘区的相邻表面向外偏移的相应的掺杂剂阻挡超晶格。每个掺杂剂阻挡超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层以及约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。

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作者：情报员