国家知识产权局信息显示,厦门大学、厦门新镓能半导体科技有限公司取得一项名为“一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN119894030B,申请日期为2025年1月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,厦门大学、厦门新镓能半导体科技有限公司取得一项名为“一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN119894030B,申请日期为2025年1月。
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