国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121078860A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化物LED外延片及其制备方法与应用，该氮化物LED外延片包括层叠设置的衬底、复合缓冲层、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层、氮化物发光层和第二氮化物半导体层；其中，复合缓冲层包括层叠设置的n组复合缓冲子层，且第1组复合缓冲子层至第(n-1)组复合缓冲子层分别包括层叠设置的调制子层、第一覆盖子层、复合结构子层和第二覆盖子层，第n组复合缓冲子层包括层叠设置调制子层、第一覆盖子层和复合结构子层，n≥2；复合结构子层具有纳米图形结构。通过采用本发明提供的方案能够克服晶格常数和热失配所产生的位错或缺陷问题，实现多功能的缓冲技术开发。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息370条，此外企业还拥有行政许可11个。

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作者：情报员