近日路透社披露，深圳已诞生首台EUV 光刻机原型机，虽仍处测试阶段、暂未产出可用芯片，但已能射出极紫外光，这标志着中国在半导体 “卡脖子” 领域迈出关键一步。
外媒将这一工程比作中国的 “曼哈顿” 计划，足见其战略分量与技术难度。
面对美国的技术封锁，中国采取 “饱和式研发” 双线并行策略：一边攻坚 EUV 光刻机，瞄准 5 纳米以下先进制程；一边深耕 DUV 光刻机自主化，通过多次曝光技术实现 7 纳米甚至 5 纳米芯片量产。2023 年，国产 7 纳米芯片搭载某品牌手机上市，不仅轰动全球，更让美国的制裁网络出现裂痕。如今，国产7纳米及等效 5 纳米芯片已稳定出货，相关手机品牌时隔 4 年重返中国市场榜首，用市场成绩印证了技术突围的成效。
尽管 DUV 多次曝光方案存在成本高、良率略低的短板，但在封锁之下，“先立足、再精进” 才是务实选择。目前全球仅台积电、三星和中国这家代工厂能生产 7 纳米以上先进芯片，反观曾是行业翘楚的英特尔，却长期卡在 10 纳米制程难有突破，这也成为美国急于拉拢台积电的核心原因。更关键的是，中国已通过芯片堆叠、软件优化等技术，让现有产品计算性能比肩国际顶尖水平，为后续竞争筑牢根基。
光刻机攻坚的背后，是中美 AI 竞赛的 “马恩河时刻”。2023 年国产 7 纳米芯片量产，彻底打破了美国靠算力优势速战速决的幻想，就像一战马恩河战役终结德军 “施里芬计划”，科技竞争进入长期拉锯阶段。AI 竞争的核心是算力、数据与算法的较量，中国在数据积累和算法层面已不逊美国，短板仅在先进芯片数量 ，而这正是光刻机攻坚要解决的关键问题。
目前，中国已能生产对标英伟达 A100 的 AI 芯片，昇腾 910 某型号的推理性能更是达到 H100 的 60%。但要追赶 4 纳米制程的 H200 芯片，EUV 光刻机的突破不可或缺。面对美国允许出口 H200 却抽取 25% 提成的 “倾销陷阱”，中国选择拒绝接收，避免干扰国产芯片迭代，展现了自主可控的坚定决心。
攻克 EUV 光刻机绝非易事，这台包含 10 万余个零部件、汇聚 5000 多家西方供应商技术的 “工业明珠”，是整个西方前沿工业的结晶。但中国在造船、光伏、新能源汽车等领域，早已证明 “以一国之力破西方之围” 的能力。按照规划，纯国产 DUV 和 EUV 光刻机有望在 “十五五” 期间投产，其中 DUV 可能已进入调试或试生产阶段。
长远来看，美国在 AI 持久战中已显露疲态。英伟达每代芯片研发成本超 200 亿美元，而中国市场贡献其 13% 的销售额，失去这一市场将严重削弱其研发后劲；中国发电量是美国的 2.5 倍，电力基础设施领先两代，能充分支撑算力中心扩张；AI 人才数量比美国多出 1.5 万且持续增长，这些优势都将随光刻机突破逐步转化为胜势。
值得一提的是，中国军用芯片早已实现自主保障 ，军用芯片更重可靠性，45 纳米以上制程已能满足多数需求，仅前沿军事研究需高性能芯片，这也是美国紧盯相关技术出口的原因。但随着民用先进制程技术成熟，军用芯片的性能升级自然水到渠成。
光刻机的光芒背后，是国家意志的凝聚与科研人员的坚守。正如历史上所有关键技术突破一样，中国在半导体领域的突围或许会历经波折，但最终必将打破封锁，用自主创新书写科技发展的新篇章，重塑全球科技竞争的新格局。
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