国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121218598A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，根据一个实施方式，半导体装置具备：层叠膜，其在第一方向上交替地包含多个电极层和多个第一绝缘膜；以及板状部，其设置在所述层叠膜内，具有沿所述第一方向和与所述第一方向相交的第二方向延伸的板状的形状，设置在所述层叠膜的第一部分与第二部分之间。所述装置还在所述第一部分内具备包含第一电荷储存层和第一半导体层的第一柱状部，在所述第二部分内具备包含第二电荷储存层和第二半导体层的第二柱状部。所述多个电极层中的第一电极层包含硼、碳或氮的浓度为第一值的第一区域、以及硼、碳或氮的浓度为比所述第一值高的第二值的第二区域，所述第二区域设置在所述第一电极层的与所述板状部相对的侧面附近。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员