国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121218641A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，一种半导体器件，包括设置有第一表面和第二表面的半导体本体，以及隔离层、栅极绝缘层、栅极结构、源极和漏极。半导体本体还包括JFET区和第一区域，以及阱区。隔离层，从第一表面延伸至半导体本体内。在第一表面，隔离层设置于第一区域与阱区之间。栅极绝缘层，设置于第一表面上，栅极绝缘层至少覆盖JFET区和阱区。栅极结构，设置于栅极绝缘层的远离半导体本体的一侧。源极，设置于第一表面。漏极，设置于第二表面。通过在第一区域与阱区之间设置隔离层，改善覆盖第一区域与阱区过渡区域的栅极绝缘层厚度的均一性问题。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员