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案例：某化合物半导体厂特殊气体处理项目

项目背景

该项目为某中外合资的GaAs（砷化镓）半导体制造厂，主要生产射频器件和光电器件。由于使用砷、磷等有毒物质，废气处理系统面临特殊挑战。

废气成分及来源

主要废气包括：

MOCVD工序：AsH₃（砷化氢）、PH₃（磷化氢）、NH₃等

离子注入工序：BF₃、PF₅等氟化物气体

其他工序：少量的H₂Se、SiH₂Cl₂等

废气特点是毒性大、浓度低但危害严重，总风量约15,000m³/h。

处理工艺流程

针对剧毒气体的特殊性，采用了"预氧化+湿式洗涤+深度处理"的工艺路线：

预氧化系统

设置臭氧注入装置，将AsH₃、PH₃等预氧化

反应停留时间>3秒

一级洗涤塔

酸性洗涤塔，使用5%次氯酸钠溶液

氧化还原电位(ORP)控制在800-1000mV

去除As、P等元素的主要部分

二级洗涤塔

碱洗塔，使用10%NaOH溶液

去除酸性气体和剩余的有害物质

深度处理系统

配置专用催化剂反应器，确保As、P等完全转化

催化剂寿命2年，定期更换

废水处理系统

洗涤废水单独收集处理

采用化学沉淀法去除As、P等重金属

出水达到《污水综合排放标准》一级标准

最终效果

经过6个月的调试和优化，系统达到以下效果：

AsH₃排放浓度<0.002mg/m³

PH₃排放浓度<0.005mg/m³

NH₃排放浓度<5mg/m³

总砷去除率>99.99%

系统运行稳定，无二次污染产生

废水中的砷含量<0.1mg/L，远严于排放标准