国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于在衬底上形成掺杂高k层的方法”的专利，公开号CN121240467A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本文公开了用于通过循环过程在衬底上的掺杂铪锆氧化物(HZO)层中形成掺杂剂浓度梯度的方法、系统和设备，循环过程包括：在反应室中提供衬底，a)将铪前体脉冲到反应室中，其中衬底的至少一部分与铪前体接触，b)将锆前体脉冲到反应室中，其中衬底的至少一部分与锆前体接触，c)将氧反应物脉冲到反应室中，其中衬底的至少一部分与氧反应物接触，d)将掺杂剂前体脉冲到反应室中，其中衬底的至少一部分与掺杂剂前体脉冲到反应室中，以及e)吹扫反应室。

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作者：情报员