国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121262856A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括元胞区和终端区，包括相对设置的第一表面和第二表面；元胞区设置的第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；元胞区的第一表面设置有栅极沟槽；终端区包括多个第二区域和多个第一埋层区，多个第二区域间隔设置于第一表面，第一埋层区靠近第一表面的一侧与第二区域接触；栅极，位于第一绝缘层内；漏极，位于第二表面；源极，位于第一表面。本申请减小了元胞区的尺寸，提高了半导体器件的元胞密度。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目24次，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可62个。

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作者：情报员