国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“2.5D衬底互连封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121285292A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种2.5D衬底互连封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该2.5D衬底互连封装结构包括基底布线层、堆叠布线层、第一芯片、第一塑封层、互连布线层、第二芯片、第一屏蔽线弧结构和第二塑封层，堆叠布线层和第一芯片设置在基底布线层上；第一塑封层包覆于第一芯片；互连布线层设置在第一塑封层上；第二芯片和第一屏蔽线弧结构设置在互连布线层上；第二塑封层包覆于第二芯片；第一屏蔽线弧结构设置在第二芯片周围，且至少一端边缘伸出第二塑封层。相较于现有技术，本发明有效减少电磁干扰，提升了器件性能，并且散热效果更好。同时布线集成度更高，有效减小布线面积，有利于器件的小型化。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息239条，此外企业还拥有行政许可19个。

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作者：情报员