国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“用于低介电膜沉积的前体”的专利，公开号CN121311621A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，提供用于从为所需掺杂剂的单一源的氟碳硅烷、氟硅烷或碳硅烷前体中沉积低介电常数掺杂氧化硅膜的等离子体增强原子层沉积方法及装置。可通过利用具有至少一直接硅氟键或经由连接基连接至硅的氟的硅前体实现保形沉积。方法亦可包括氟碳氨基硅烷或氟氨基硅烷。

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作者：情报员