国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“在衬底的介电表面上选择性沉积硅氧化物”的专利，公开号CN121311618A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，在衬底上选择性沉积硅氧化物的方法包括：使衬底暴露于含硅抑制剂，以使含硅抑制剂选择性地吸附至衬底的金属表面。含硅抑制剂包括一个或更多个有机配体。该方法还包括：通过使衬底暴露于含金属前体以使含金属前体吸附至介电表面，以在衬底的介电表面上形成催化层。含硅抑制剂抑制含金属前体吸附至金属表面。该方法还包括：使衬底暴露于基于硅烷醇的硅氧化物前体，其中催化层催化基于硅烷醇的硅氧化物前体转化成硅氧化物。

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作者：情报员