国家知识产权局信息显示，浙江力积存储科技股份有限公司、力积日本株式会社申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121306209A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开使受到行锤的影响的存储单元的数据有效率地恢复，而不会因高频率的刷新而使写入及读出速度降低。存储单元阵列（10）包括多个子阵列（11）。多个子阵列（11）分别与多个感测放大器电路（14）中的两个连接。在列选择线（16）的方向上彼此相邻的两个子阵列（11）共用多个感测放大器电路（14）中的一个。存储单元阵列控制电路（22）经由第一字线（15）使第一子阵列（11）中包括的第一存储单元（12）激活，用于通常访问，同时，经由第二字线（15）将与第一子阵列（11）不同的第二子阵列（11）中包括的第二存储单元（12）刷新。

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作者：情报员