国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121335188A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极结构、第二阻挡层与层间介质层，其中栅极结构包括栅介质层、第一虚拟栅极、第一阻挡层与第二虚拟栅极；平坦化层间介质层与第二阻挡层，至暴露出第二虚拟栅极；去除第二虚拟栅极形成第一沟槽；刻蚀第一沟槽暴露出的第一阻挡层与第二阻挡层形成第二沟槽；去除第一虚拟栅极形成第三沟槽，第二沟槽与第三沟槽共同构成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成金属栅极。本发明将栅极结构设置为依次排布的栅介质层、第一虚拟栅极、第一阻挡层与第二虚拟栅极，在去除第一阻挡层的同时也去除侧壁的第二阻挡层从而减少栅极沟槽的深宽比，由此避免金属栅极缺陷，提高器件良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1569条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员