【热点速读】
1、消息称三星电子1c DRAM良率已接近60%，已超盈亏平衡点
2、美光收购力积电P5工厂，Q2完成交易，2027下半年量产DRAM
3、澜起科技2025年年度业绩预盈
4、SK海力士LPDDR5X获得ASIL-D认证
5、机构：AI需求加持，上调2025年度日本制半导体设备销售额预估，创历史新高
1、消息称三星电子1c DRAM良率已接近60%，已超盈亏平衡点
据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。
此前，三星电子在1c DRAM开发过程中，在确保一定水平的良率后，于2025年12月按原计划解散了专门负责良率改善的特别工作组，该部门约400-500名的人员被分散配置到平泽生产线和原有的技术组织中。
据悉，三星的判断基准线是“冷测试良率50%”。即使良率未能立即提升，经营层也果断决策，认为必须迅速进入英伟达供应链，抢先确保市场份额。
业界将此次1c DRAM量产战略解读为三星电子的“速度战回归”。评价认为，三星电子已摆脱“重视良率稳定化、对量产转换持慎重态度”的基调，回归到“确保一定良率后便立即投入量产和市场应对”的过去三星模式。据悉，三星电子内部共识是，在1c DRAM量产方面领先于竞争对手。
三星电子在HBM4中应用了1c DRAM和基于4纳米工艺的逻辑芯片，提升了能效和运行速度。据分析，在内部技术评估中，其确保了每秒11Gbps以上的性能水平，已接近英伟达要求的高速规格。
据业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。
三星电子预计2026年HBM销量将比2025年增长2.5倍以上。这被解读为是基于1c DRAM良率改善及扩大生产，对HBM4量产扩张正式化表达了期待。
此前有报道称，三星电子计划在2026年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。
2、美光收购力积电P5工厂，Q2完成交易，2027下半年量产DRAM
美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。
此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。
3、澜起科技2025年年度业绩预盈
澜起科技发布全年业绩预告。预计2025年1-12月业绩大幅上升，归属于上市公司股东的净利润为21.50亿至23.50亿，净利润同比增长52.29%至66.46%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润19.20亿元~21.20亿元，较上年同期增长53.81%~69.83%。
公告称，受益于AI产业趋势，行业需求旺盛，澜起科技互连类芯片出货量显著增加，推动2025年度经营业绩较上年同期实现大幅增长。
4、SK海力士LPDDR5X获得ASIL-D认证
SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。
LPDDR5X 车用 DRAM 旨在满足下一代汽车系统（包括高级驾驶辅助系统 (ADAS)、自动驾驶和车载信息娱乐系统）的苛刻要求，同时提供高性能、低功耗和高可靠性。
在软件定义车辆（SDV）环境中，该产品能够稳定地处理大量数据，同时最大限度地降低系统出错的风险。
随着汽车中电子电气系统的比例不断上升，功能安全保证（超越简单的性能或缺陷率）已成为汽车DRAM竞争力的关键基准。
对此，SK 海力士对该产品采用了均衡设计，使其即使在极端条件下也能保持稳定的数据可靠性，具备故障通知、自诊断和修复功能，以及超高带宽和低功耗特性。
5、机构：AI需求加持，上调2025年度日本制半导体设备销售额预估，创历史新高
日本半导体制造设备协会(SEAJ)近日发布预估报告称，因台积电2nm (GAA)投资全面展开，加上以HBM为中心的DRAM投资稳健，因此将2025年度(2025年4月-2026年3月)日本制芯片设备销售额(指日系企业于日本国内及海外的设备销售额)从前次(2025年7月)预估的4兆8,634亿日圆上修至4兆9,111亿日圆，上修后的销售额将较2024年度增加3.0%，年销售额将连续第2年创下历史新高纪录。
SEAJ表示，2026年度(2026年4月-2027年3月)期间，因DRAM投资持续扩大，加上预计AI服务器用先进逻辑芯片投资增长，因此将2026年度日本芯片设备销售额自前次预估的5兆3,498亿日圆上修至5兆5,004亿日圆，同比将增长12.0%，年销售额将史上首度冲破5兆日圆大关，持续创下历史新高。
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