富采与德国ALLOS Semiconductors 1 月19日宣布缔结策略合作，双方将携手推动8 吋硅基氮化镓LED磊芯片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量产，加速 Micro LED 于AR等更多高整合之显示器应用的发展。富采拥有全球领先的高阶 LED磊晶制造技术与产能，ALLOS 则具备业界顶尖的 硅基氮化镓磊晶技术，这项合作象征 Micro LED 产业供应链迈向更加成熟的重要里程碑。

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富采与ALLOS 携手开发 GaN-on-Si LED 磊芯片，结合富采在 LED结构上的深厚技术与 ALLOS硅基氮化镓缓冲结构技术，不仅亮度与能效可媲美传统蓝宝石基板成长的氮化镓LED（GaN-on-sapphire），更透过磊芯片尺寸扩大至 8 吋以上，大幅提升单片产出面积与制程效率。此外，其超小像素间距可满足近眼显示的高解析需求，并具备高度硅晶圆制程兼容性与量产可行性。

富采光电元件事业本部总经理唐修穆博士表示：「这项合作将提供具高度竞争力的硅基氮化镓Micro LED 解决方案，并建立可扩展、与硅晶圆厂制程高度兼容的量产途径。藉由与 ALLOS 携手，我们得以同步布局 8 吋 硅基氮化镓Micro LED 磊晶技术，为快速成长的 Micro LED 产业提供更完整的价值链与解决方案。」

ALLOS 共同创办人暨执行长 Burkhard Slischka 则指出：「富采是我们理想的合作伙伴。双方强强联手，将为客户提供高质量、具扩展性的磊芯片供应。我们的合作将提供业界最佳组合，包括最高的 LED 效率与卓越的Micro LED磊晶制程及芯片对接制程的良率（wafer-to-wafer yield），引领 Micro LED 晶粒制造迈向新里程碑。」

此外，这项合作也将为迈向12 吋 硅基氮化镓LED 磊晶技术铺路，以因应市场对更大尺寸晶圆的需求、加速Micro LED普及化。ALLOS 自 2020 年起即已展示 12 吋量产能力，并持续与全球客户合作优化技术；富采也将持续携手产业伙伴，共同拓展 Micro LED 的无限可能。

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