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存储芯片进入史上最疯狂时期

近半年，内存、NAND Flash等存储产品短缺态势剧烈，远超常规行业周期波动，核心驱动力是AI产业爆发式增长，数据中心对存储产能的消耗激增。

TrendForce报告显示，2026年全球70%内存将被数据中心消耗，供需格局重塑。

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巨头纷纷锁定供应资源，OpenAI“星门”项目与三星、SK海力士签每月90万片DRAM晶圆供应协议，占全球产量近40%；高密度NAND、美光高带宽内存2026年前产能几近售罄，巨头长期锁定源头采购。

这场危机已突破科技领域，向汽车、消费电子、家电等行业蔓延，推高终端产品成本并转嫁消费者。黄仁勋称内存价格或占多数电子产品价格10%，智能手机中可达30%。IDC预测2026年智能手机、PC销量分别下降5%、9%，称产能向AI数据中心“永久性重新分配”。

存储三巨头加速扩产：三星投资360万亿韩元建设龙仁产业园，聚焦AI垂直集成，重启P5工厂并以“快速通道”推进，目标2028年运营；SK海力士与台积电深度合作，提前M15X工厂量产时间至2026年2月，专攻HBM4等高附加值产品；美光2026财年资本支出增至200亿美元，优先推进博伊西ID2晶圆厂，打造“研发+量产”中心，预计2027年实现DRAM产出。

—— 芯榜 ——

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