国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种供体衬底加工方法及复合衬底”的专利，公开号CN121358262A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种供体衬底加工方法及复合衬底。其中供体衬底加工方法包括以下步骤：S1、对供体衬底的边缘进行第一次倒角并形成第一L型倒角；S2、对供体衬底的键合面进行抛光处理；S3、盖板连接于键合面，盖板的尺寸基于键合面的尺寸内缩预设距离，以使键合面未被盖板覆盖的部分形成待倒角区，待倒角区环设于键合面；S4、对供体衬底的边缘进行第二次倒角以去除待倒角区，并形成第二L型倒角，第二L型倒角对应形成键合层；S5、盖板和供体衬底分离，得到具有键合层的供体衬底。本发明实现了供体衬底的边缘整齐以及供体衬底的键合面的整体质量，且避免了第二次倒角引入的颗粒脏污对键合面的损伤。

天眼查资料显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司，成立于2022年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员