国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种匀气结构和真空吸附系统”的专利，公开号CN121344567A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种匀气结构及多站真空吸附系统。匀气结构包括：第一端口，设于所述匀气结构的第一端，并连通气源和/或真空泵；第二端口，设于所述匀气结构的第二端，并至少连通真空规；多个第三端口，设于所述第一端口与所述第二端口之间，垂直所述第一端口与所述第二端口，并连通多个真空吸附盘；以及挡板，设于所述第一端口和所述第二端口之间。通过采用上述匀气结构，本发明能够借助多个端口与挡板间的协同作用，实现各真空吸附盘之间的均匀抽气和均匀气体回填，同时避免气体通过第二端口直接进出真空规，从而保证薄膜沉积的均匀性，提高芯片良率。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息444条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员