国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121368137A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底包括衬底、位于衬底内的源极区和漏极区、位于源极区、漏极区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成介质层，于介质层上形成第一金属互连层，其中，第一金属互连层包括第一绝缘层和贯穿第一绝缘层的栅极金属结构、源极金属结构，栅极金属结构、源极金属结构分别通过接触孔与栅极结构、源极区连接，于第一金属互连层上沉积底电极层，平坦化底电极层，基于底电极层，形成分别与栅极金属结构、源极金属结构对应的第一存储结构和第二存储结构，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度，且工艺步骤较少，简化了RRAM的制备流程。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息355条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员