国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法”的专利，公开号CN121366596A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，提供一种半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法。方法包含以下步骤：取得第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，其中第一半导体晶粒和第二半导体晶粒分别包含第一识别符产生电路和第二识别符产生电路；在第一半导体晶粒上堆叠第二半导体晶粒以形成堆叠结构，其中第一识别符产生电路电性连接至第二识别符产生电路；以及分别借由第一识别符产生电路和第二识别符产生电路为第一半导体晶粒和第二半导体晶粒产生第一晶片识别符和第二晶片识别符。第二晶片识别符的产生是使用第一晶片识别符和辅助输入信号。

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作者：情报员