无锡先瞳半导体取得屏蔽栅沟槽型场效应晶体管专利
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国家知识产权局信息显示,无锡先瞳半导体科技有限公司取得一项名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法”的专利,授权公告号CN114335181B,申请日期为2021年12月。
天眼查资料显示,无锡先瞳半导体科技有限公司,成立于2019年,位于无锡市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡先瞳半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息3条,专利信息51条,此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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