国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398012A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构和多个连接结构。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第二栅极层和多个第二介质层。连接结构包括：连接柱、至少一个第一连接层和至少一个第二连接层，一个第一连接层连接连接柱和一个第一栅极层；一个第二连接层连接连接柱和一个第二栅极层。在平行于第二方向的参考面上，至少两个连接结构的连接柱的尺寸不同。上述存储器件中，一个第一栅极层和一个第二栅极层共用一个连接结构，有利于提高存储器件的存储密度。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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作者：情报员