索尼申请半导体装置及其制造方法专利,能够适当地抑制裂纹的扩展
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国家知识产权局信息显示,索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN121400137A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,[问题]本发明提供能够适当地抑制裂纹的扩展的半导体装置及制造半导体装置的方法。[解决方案]半导体装置包括第一基板和设置在所述第一基板上的绝缘膜,其中,所述绝缘膜包括设置在不同高度处的多个空洞,并且所述多个空洞以阶梯状的方式布置。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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