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三菱电机现已开启新型沟槽式 SiC - MOSFET 裸芯片样品的供应之旅。凭借先进的沟槽技术，此芯片能够将功率损耗降低约 50%。

三菱电机正式宣布，即将着手出货四款新型沟槽式碳化硅 MOSFET（SiC - MOSFET）裸芯片（Bare Dies）的样品。这些新产品专为电力电子设备量身打造，其应用范畴颇为广泛，涵盖电动汽车（EV）牵引逆变器、车载充电器，以及包含太阳能发电在内的可再生能源电源系统。

据该公司透露，这些新型功率半导体裸芯片有助于在各类电力电子设备中嵌入先进裸芯片，进而在维持性能的同时，有效降低功耗。

三菱电机将在 1 月 21 日至 23 日于东京举办的第 40 届日本 NEPCON 研发与制造展上展示这些全新的沟槽式 SiC - MOSFET 裸芯片。除此之外，还会在北美、欧洲、中国、印度等地的展览会上予以展出。

这四款新型沟槽式 SiC - MOSFET 裸芯片与该公司现有的沟槽式 SiC - MOSFET 裸芯片有相似之处，不过采用了专有的沟槽 SiC - MOSFET 结构。相较于平面 SiC - MOSFET，该结构可使功率损耗降低约 50%。

此外，其制造工艺，其中包括三菱电机专有的栅极氧化膜制造方法，有效抑制了功率损耗和导通电阻的变化，从而保障了长期使用时的稳定质量。

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